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उत्पाद विवरण:
भुगतान & नौवहन नियमों:
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एमपीएन: | आईआरएफबी4115पीबीएफ | एमएफआर: | Infineon |
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श्रेणी: | MOSFET | आकार: | 9.02*10.67*4.83mm |
प्रमुखता देना: | IRFB4115PBF हाई पावर MOSFET,हाई पावर MOSFET Si 150V,irf4115 mosfet |
यूरोपीय संघ RoHS | छूट के साथ अनुपालन |
ईसीसीएन (अमेरिका) | EAR99 |
भाग की स्थिति | सक्रिय |
मोटर वाहन | नहीं |
पीपीएपी | नहीं |
उत्पाद श्रेणी | पावर MOSFET |
सामग्री | सी |
विन्यास | एकल |
प्रक्रिया प्रौद्योगिकी | हेक्सफेट |
चैनल मोड | वृद्धि |
चैनल प्रकार | एन |
प्रति चिप तत्वों की संख्या | 1 |
अधिकतम नाली स्रोत वोल्टेज (वी) | 150 |
अधिकतम गेट स्रोत वोल्टेज (वी) | ±20 |
अधिकतम निरंतर नाली वर्तमान (ए) | 104 |
अधिकतम नाली स्रोत प्रतिरोध (एमओएचएम) | 11@10वी |
विशिष्ट गेट चार्ज @ वीजीएस (एनसी) | 77@10वी |
विशिष्ट गेट चार्ज @ 10V (एनसी) | 77 |
विशिष्ट इनपुट कैपेसिटेंस @ वीडीएस (पीएफ) | 5270@50वी |
अधिकतम बिजली अपव्यय (एमडब्ल्यू) | 380000 |
विशिष्ट पतन समय (एनएस) | 39 |
विशिष्ट उदय समय (एनएस) | 73 |
विशिष्ट टर्न-ऑफ विलंब समय (एनएस) | 41 |
विशिष्ट टर्न-ऑन विलंब समय (एनएस) | 18 |
न्यूनतम ऑपरेटिंग तापमान (डिग्री सेल्सियस) | -55 |
अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान (डिग्री सेल्सियस) | 175 |
पैकेजिंग | ट्यूब |
पिन काउंट | 3 |
मानक पैकेज का नाम | को-220 |
आपूर्तिकर्ता पैकेज | टू-220AB |
बढ़ते | छेद के माध्यम से |
पैकेज ऊंचाई | 9.02 (अधिकतम) |
पैकेज की लंबाई | 10.67 (अधिकतम) |
पैकेज की चौड़ाई | 4.83 (अधिकतम) |
पीसीबी बदल गया | 3 |
टैब | टैब |
लीड आकार | छेद के माध्यम से |
व्यक्ति से संपर्क करें: peter
दूरभाष: +8613211027073